不畏美国制裁 长江存储加速转用中国产半导体9/20/2024 9:07:34 PM 来源:世界日报 据世界日报综合报道,半导体专业分析机构TechInsights称,在美国于2022年10月限制先进半导体设备对华出口,并于2022年底将中国3D NAND Flash制造商长江存储列入实体清单近两年之后,长江存储仍在稳步发展,并已成功采用中国国产半导体设备取代了部分美系半导体设备。 彭博报导称,长江存储已转向境内的半导体设备应商,例如专门从事蚀刻设备的中微公司(AMEC)、专注于沉积和蚀刻设备的北方华创(Naura)、沉积设备供应商拓荆科技(Piotech)。 TechInsights称,虽然长江存储仍继续依赖艾司摩尔( ASML )和科林集团(Lam Research)等外国供应商提供关键工具,但中国国产半导体设备供应商越来越多地承担了生产流程的大部分。 近年来,长江存储推出了具有232层和高速介面的 Xtacking 3.0 和 Xtacking 4.0 架构,能够与美光、三星和 SK 海力士等全球领导者进行竞争,并具有足够的竞争力,可以为世界上一些最好的 SSD 提供支持。 尽管取得了这些进展,但长江存储仍面临技术障碍。最新使用中国国产半导体设备生产的3D NAND晶片比早期版本少了 70 层,而层数的减少主要因为使用中国国产设备导致制造过程中缺陷增多、良率降低。 不过,长江存储透过电子邮件回应称,正在不断提高产品性能,最新设备中层数的变化与任何特定设备的产量无关。 可以肯定的是,随着中国国产设备制造的3D NAND 的缺陷数量减少和良率提升,预计长江存储将持续增加中国国产设备制造的3D NAND 的层数。 值得注意的是,长江存储最近甚至签署了一项协议,为美国Patriot Memory 的一款高阶PCIe Gen5x4 SSD提供 3D NAND,该 SSD 承诺以低价格提供高性能。 为了反击来自美方的持续打压,长江存储正透过将美国竞争对手美光科技告上法院,来维护自身利益。 今年7月,长江存储在美国加州北部地方法院,再度对美光提告,指控这家美国公司侵犯11项专利,涉及3D NAND Flash及DRAM产品。长江存储要求法院勒令美光停止在美国销售侵权的记忆体产品,同时支付专利使用费。 而在更早之前的2023年11月,长江存储还在美国加州北区地方法院,对美光及子公司美光消费类产品事业部提告,指控它们侵犯8项与3D NAND Flash相关的美国专利。 此外,今年6月,长江存储还在美国加州北区联邦地区法院提告,指控受美光资助的丹麦谘询公司Strand Consult及其副总裁雷顿(Roslyn Layton)散布虚假信息,破坏长江存储的市场声誉和商业关系。
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